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PEMH19,115

NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666
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简述:TRANS NPN W/RES DUAL SOT666
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PEMH19,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):1µA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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