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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > PEMD12,315
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PEMD12,315

NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANS ARRAY NPN/PNP SOT-666
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PEMD12,315相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PEMD13,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
PEMD14,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PREBIASED DUAL SOT666 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
PEMD15,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PREBIASED DUAL SOT666 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
PEMD12,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
PEMD10,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
PEMB4,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

PEMD12,315参数资料

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晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):1µA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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