收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > PEMB1,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PEMB1,115

NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666
询价QQ:
简述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PEMB1,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PEMB10,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PEMB11,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 4000 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PEMB13,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PELS0SSX0 TE Connectivity MODULE PWR ENTRY FUSE FILTER 10A ...
PEL-A4-Y3-25 Panduit Corp LABEL LSR POLY CLR 8.27X11.69" ...
PEL-A4-Y2Y-25 Panduit Corp LABEL LSR POLY YEL 8.27X11.69" ...

PEMB1,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):1µA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别