收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > PDTD123YT,215
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PDTD123YT,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000
询价QQ:
简述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PDTD123YT,215相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PDU1215 Tripp Lite POWER STRIP 15A 13 OUT RACK M ...
PDU1220 Tripp Lite POWER STRIP 20A 13 OUT RACK MNT ...
PDU1220T Tripp Lite POWER STRIP 20A 13 OUT RACK MNT ...
PDTD123YS,126 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS NPN 50V 500MA SOT54 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
PDTD123YK,115 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN W/RES 50V SC-59 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
PDTD123TT,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 50V 500MA SOT23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...

PDTD123YT,215参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 50mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别