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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > PBSS5630PA,115
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PBSS5630PA,115

NXP Semiconductors 3-UDFN 裸露焊盘 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PBSS5630PA,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PBSS8110AS,126 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS NPN 100V 1A LOW SAT TO92 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
PBSS8110D,115 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 5733 TRANS NPN 100V 1A 6TSOP 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
PBSS8110S,126 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS NPN 100V 1A LOW SAT TO92 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
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PBSS5580PA,115 NXP Semiconductors 3-UDFN 裸露焊盘 3000 TRANS PNP 80V 4A SOT1061 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 - 集电极发...

PBSS5630PA,115参数资料

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晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 300mA,6A
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):190 @ 2A,2V
功率 - 最大:2.1W
频率 - 转换:80MHz
安装类型:表面贴装

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