收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > PBSS306PZ,135
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PBSS306PZ,135

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 3490
询价QQ:
简述:TRANS PNP 100V 4.1A SOT223
参考包装数量:1
参考包装形式:

与PBSS306PZ,135相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PBSS3515E,115 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 4975 TRANSISTOR PNP 15V SOT416 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
PBSS3515E,135 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 10000 TRANSISTOR PNP 15V SC75 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
PBSS3515M,315 NXP Semiconductors SC-101,SOT-883 TRANS PNP 15V 500MA SOT883 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
PBSS306PX,115 NXP Semiconductors TO-243AA 1000 TRANS PNP 100V 3.7A SOT-89 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3.7A 电压 - 集电...
PBSS306NZ,135 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 100v 5.1A SOT-223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5.1A 电压 - 集电...
PBSS306NX,115 NXP Semiconductors TO-243AA 1000 TRANS NPN 100V 3.7A SOT89 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.5A 电压 - 集电...

PBSS306PZ,135参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):325mV @ 410mA,4.1A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 2A,2V
功率 - 最大:2W
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别