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NVTR01P02LT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET P-CH 20V 0.160R SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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NVTR01P02LT1G参数资料


FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.5nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):225pF @ 5V
功率 - 最大值:400mW
安装类型:表面贴装

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