收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NVTJD4001NT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NVTJD4001NT1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 250MA SC-88
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NVTJD4001NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NVTJD4001NT2G ON Semiconductor 0+129000 MOSFET N-CH SC88 30V 250MA SC-88 ...
NVTJD4105CT1G ON Semiconductor 0+198000 MOSFET COMP 20V 0.63A SC-88 ...
NVTJD4158CT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V .88A SC-88 ...
NVTGS3455T1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP ...
NVTFS5826NLTWG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NVTFS5826NLTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NVTJD4001NT1G参数资料


FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 10mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:33pF @ 5V
功率 - 最大:272mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别