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NVMD6N03R2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+5000
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简述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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NVMD6N03R2G参数资料


FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:32 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:950pF @ 24V
功率 - 最大:1.29W
安装类型:表面贴装

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