收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NVF3055L108T3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NVF3055L108T3G

ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NVF3055L108T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NVF5P03T3G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NVF6P02T3G ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223 ...
NVGS3441T1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP ...
NVF3055L108T1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NVF3055-100T1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NVF2955T1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NVF3055L108T3G参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 1.5A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):440pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别