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NVD5117PLT4G

ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 6859+2500
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简述:MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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NVD5117PLT4G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):61A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4800pF @ 25V
功率 - 最大值:4.1W
安装类型:表面贴装

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