收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NVB5405NT4G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NVB5405NT4G

ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 40V 16.5A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与NVB5405NT4G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NVB5426NT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+800 MOSFET N CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NVB60N06T4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NVB6410ANT4G ON Semiconductor TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NVB5404NT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N CH 40V 24A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NVB25P06T4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NV890201MWTXGEVB ON Semiconductor 1 BOARD EVAL NV890201MWTX ...

NVB5405NT4G参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4000pF @ 32V
功率 - 最大值:3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别