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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTZD5110NT1G
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NTZD5110NT1G

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简述:MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTZD5110NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NT-ZJCAT1-EV4 Omron Electronics Inc-IA Div 0+6 SOFTWARE CD-ROM V4.2 ...
NTZS3151PT1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 36000 MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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NTZD3156CT1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

NTZD5110NT1G参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:294mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:24.5pF @ 20V
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

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