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NTUD3129PT5G

ON Semiconductor SOT-963
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简述:MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

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NTUD3129PT5G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:140mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 100mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:12pF @ 15V
功率 - 最大:125mW
安装类型:表面贴装

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