收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTTFS5811NLTAG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTTFS5811NLTAG

ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 1500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTTFS5811NLTAG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTTFS5811NLTWG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 0+60000 MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS5820NLTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS5820NLTWG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 0+35000 MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS5116PLTWG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 0+5000 MOSFET PWR P-CH 60V 20A 8-WDFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS5116PLTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS4985NFTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 0+342000 MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NTTFS5811NLTAG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 25V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别