收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTTFS4930NTWG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTTFS4930NTWG

ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 0+55000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTTFS4930NTWG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTTFS4932NTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS4932NTWG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS4937NTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS4930NTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS4929NTWG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTTFS4929NTAG ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTTFS4930NTWG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):476pF @ 15V
功率 - 最大值:790mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别