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NTP65N02R

ON Semiconductor TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NTP65N02R参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1330pF @ 20V
功率 - 最大值:1.04W
安装类型:通孔

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