收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTMSD2P102R2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTMSD2P102R2

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTMSD2P102R2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMSD2P102R2SG ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTMSD3P102R2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTMSD3P102R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTMSD2P102LR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTMSD2P102LR2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTMS7N03R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTMSD2P102R2参数资料


FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 16V
功率 - 最大值:710mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别