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NTMS5835NLR2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 757+45000
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简述:MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
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与NTMS5835NLR2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMS5838NLR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500+17500 MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS5P02R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS5P02R2SG ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4P01R2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4N01R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4939NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+57500 MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTMS5835NLR2G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2115pF @ 20V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装

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