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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTMS4935NR2G
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NTMS4935NR2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTMS4935NR2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMS4937NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4939NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+57500 MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4N01R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4920NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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NTMS4916NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+52500 MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8 FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTMS4935NR2G参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.1 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3639pF @ 25V
功率 - 最大值:810mW
安装类型:表面贴装

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