收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTMS4503NR2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTMS4503NR2

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTMS4503NR2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMS4503NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4700NR2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4700NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4404NR2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4177PR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMS4176PR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTMS4503NR2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):28V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 16V
功率 - 最大值:930mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别