收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTMFS4841NHT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTMFS4841NHT1G

ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) 345
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
参考包装数量:1
参考包装形式:

与NTMFS4841NHT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMFS4841NHT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4841NT1G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) 7192 MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4841NT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4839NT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4839NT1G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4839NHT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTMFS4841NHT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 11.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2113pF @ 12V
功率 - 最大值:870mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别