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NTMFS4835NT1G

ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) 0+1500
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简述:MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMFS4835NT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4836NT1G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4836NT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4834NT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4834NT1G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTMFS4833NT3G ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTMFS4835NT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 11.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3100pF @ 12V
功率 - 最大值:890mW
安装类型:表面贴装

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