收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTMD5836NLR2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTMD5836NLR2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+10000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTMD5836NLR2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMD5838NLR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+345000 MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTMD6601NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTMD6N02R2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTMD4N03R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4990 MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTMD4884NFR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTMD4840NR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 4.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

NTMD5836NLR2G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A,5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:2120pF @ 20V
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别