收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTLJF4156NT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTLJF4156NT1G

ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTLJF4156NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTLJF4156NTAG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTLJS1102PTAG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTLJS1102PTBG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTLJF3118NTBG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTLJF3118NTAG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTLJF3117PTAG ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

NTLJF4156NT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):427pF @ 15V
功率 - 最大值:710mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别