收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTJS4405NT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTJS4405NT1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6000+93000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTJS4405NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTJS4405NT4 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTJS4405NT4G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTK3043NAT5G ON Semiconductor SOT-723 MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTJS4405NT1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTJS4160NT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTJS4151PT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 48000 MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTJS4405NT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 10V
功率 - 最大值:630mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别