收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTJD4158CT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTJD4158CT1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 30000
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTJD4158CT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTJD4158CT2G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTJD4401NT1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 20V ESD SOT363 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTJD4401NT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 9000 MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTJD4152PT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 63000 MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTJD4152PT1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTJD4105CT4G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

NTJD4158CT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V,20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:250mA,880mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 10mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:33pF @ 5V
功率 - 最大:270mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别