收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTJD1155LT1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTJD1155LT1

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTJD1155LT1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTJD1155LT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 21000 MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):8...
NTJD2152PT1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTJD2152PT1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTHS5445T1 ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTHS5443T1G ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 0+21000 MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTHS5443T1 ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTJD1155LT1参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:400mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别