收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTGS4141NT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTGS4141NT1G

ON Semiconductor SC-74,SOT-457 12000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTGS4141NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTGS5120PT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTH0505MC Murata Power Solutions Inc 26-DIP SMD 模块(12 引线) CONV DC/DC SM 2W 5VIN 5VDUAL 1KV 类型:隔离 输出数:2 电压 - 输入(最小):4.5V 电压 - 输入(最大)...
NTH0512MC Murata Power Solutions Inc 26-DIP SMD 模块(12 引线) 170 CONV DC/DC 2W 5VIN 12V DUAL 1KV 类型:隔离 输出数:2 电压 - 输入(最小):4.5V 电压 - 输入(最大)...
NTGS4111PT2G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTGS4111PT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 12000 MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTGS4111PT1 ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTGS4141NT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 24V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别