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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTGS3441T1
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NTGS3441T1

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简述:MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTGS3441T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTGS3441T1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 12322 MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTGS3443BT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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NTGS3441PT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTGS3441BT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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NTGS3441T1参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.65A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 5V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

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