收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTGD3148NT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTGD3148NT1G

ON Semiconductor SC-74,SOT-457
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTGD3148NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTGD3149CT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTGD4161PT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTGD4167CT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 5793 MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTGD3147FT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
NTGD3133PT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NTGD1100LT1G ON Semiconductor SC-74,SOT-457 MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP 类型:通用 输出数:1 Rds(开):55 毫欧 内部开关:是 电流限制:3.3...

NTGD3148NT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:300pF @ 10V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别