收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTF3055L175T1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTF3055L175T1

ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTF3055L175T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTF3055L175T1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF3055L175T3 ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF3055L175T3G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF3055L108T3LFG ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF3055L108T3LF ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF3055L108T3G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTF3055L175T1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):175 毫欧 @ 1A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别