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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTF3055-100T1G
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NTF3055-100T1G

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简述:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与NTF3055-100T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTF3055-100T3G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF3055-100T3LF ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF3055-160T1 ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTF3055-100T1 ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF2955T1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 74000 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTF2955PT1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTF3055-100T1G参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):455pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装

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