收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTD95N02RT4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTD95N02RT4

ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTD95N02RT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTD95N02RT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NT-DRT21 Omron Electronics Inc-IA Div DEVICENET COM MODULE NT31/631 ...
NTDV18N06LT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD95N02RG ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD95N02R-1G ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 24V 12A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD95N02R-001 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 24V 12A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTD95N02RT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 20V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别