收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTD85N02R-1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTD85N02R-1G

ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与NTD85N02R-1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTD85N02RG ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD85N02RT4 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD85N02RT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD85N02R-001 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 24V 12A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD85N02R ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD80N02T4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTD85N02R-1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2050pF @ 20V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别