收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTD80N02-1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTD80N02-1G

ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与NTD80N02-1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTD80N02G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD80N02T4 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD80N02T4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD80N02-001 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 24V 80A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD80N02 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD78N03T4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTD80N02-1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 20V
功率 - 最大值:75W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别