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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTD65N03R-035
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NTD65N03R-035

ON Semiconductor TO-251-3 短截引线,IPak 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与NTD65N03R-035相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTD65N03R-1G ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD65N03RG ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD65N03RT4 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD65N03R-001 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD65N03R ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD6416ANT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000+2500 MOSFET N-CH 100V 17A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NTD65N03R-035参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 20V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:通孔

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