收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTD5862N-1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTD5862N-1G

ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+44625
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与NTD5862N-1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTD5862NT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5835+5000 MOSFET N-CH 60V 90A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTD5865N-1G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+25350 MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTD5865NL-1G ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 0+78750 MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD5807NT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 23A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD5806NT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5929 MOSFET N-CH 40V 33A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD5805NT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 9030 MOSFET N-CH 40V 51A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTD5862N-1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6000pF @ 25V
功率 - 最大值:96W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别