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NTD4979N-1G

ON Semiconductor TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
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简述:MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与NTD4979N-1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NTD4979N-1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):837pF @ 15V
功率 - 最大值:1.38W
安装类型:通孔

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