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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTD24N06L-1G
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NTD24N06L-1G

ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与NTD24N06L-1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTD24N06LG ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD24N06LT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 25000 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD24N06T4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+25000 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTD24N06L-001 ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 60V 24A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD24N06L ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD24N06G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NTD24N06L-1G参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):24A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 10A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1140pF @ 25V
功率 - 最大值:1.36W
安装类型:通孔

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