收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTD12N10-1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTD12N10-1G

ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与NTD12N10-1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTD12N10G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTD12N10T4 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTD12N10T4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTD110N02RT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD110N02RT4 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTD110N02RG ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTD12N10-1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 25V
功率 - 最大值:1.28W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别