收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTB85N03T4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTB85N03T4

ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
参考包装数量:10
参考包装形式:剪切带 (CT)

与NTB85N03T4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTB85N03T4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTB90N02 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTB90N02G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTB85N03G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTB85N03 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTB75N06T4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NTB85N03T4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):28V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):85A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2150pF @ 24V
功率 - 最大值:80W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别