收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTB75N03-006
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTB75N03-006

ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与NTB75N03-006相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTB75N03-06T4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTB75N03-6G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTB75N03-6T4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTB65N02RT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 24V 7.6A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTB65N02RT4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTB65N02RG ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NTB75N03-006参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 37.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5635pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别