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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NTA4001NT1G
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NTA4001NT1G

ON Semiconductor SC-75,SOT-416 135000 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 20V 238MA SOT-416
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTA4001NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTA4151PT1 ON Semiconductor SC-75,SOT-416 MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTA4151PT1G ON Semiconductor SC-75,SOT-416 90000 MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTA4153NT1 ON Semiconductor SC-75,SOT-416 MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NTA4001NT1 ON Semiconductor SC-75,SOT-416 MOSFET N-CH 20V 238MA SOT-416 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NTA1215MC Murata Power Solutions Inc 18-DIP SMD 模块(10 引线) 142 CONV DC/DC 1W 12VIN 15V DL 1KV 类型:隔离 输出数:2 电压 - 输入(最小):10.8V 电压 - 输入(最大...
NTA1212MC Murata Power Solutions Inc 18-DIP SMD 模块(10 引线) CONV DC/DC 1W 12VIN 12V DL 1KV 类型:隔离 输出数:2 电压 - 输入(最小):10.8V 电压 - 输入(最大...

NTA4001NT1G参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):238mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 10mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):20pF @ 5V
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装

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