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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > NSVMUN5132T1G
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NSVMUN5132T1G

ON Semiconductor SC-70,SOT-323 0+66000
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简述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NSVMUN5212DW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+9000 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
NSVMUN5333DW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+27000 TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
NSVMUN5334DW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
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NSVMMUN2232LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

NSVMUN5132T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):4.7k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):15 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):50nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:202mW
安装类型:表面贴装

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