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NSV60600MZ4T1G

ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
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简述:TRANS PNP BIPO 6A 60V SOT223-4
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NSV60600MZ4T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1A,2V
功率 - 最大:800mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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