收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NSTR4501NT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NSTR4501NT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NSTR4501NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NS-US22 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE NS TO PRINTER USB 2M ...
NS-US52 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE NS TO PRINTER USB 5M ...
NSV1SS400T1G ON Semiconductor SC-79,SOD-523 DIODE SWITCH 100V 200MA SOD523 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):100V 电流 - 平均整流 (I...
NSTJD1155LT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH DUAL 8V 1.3A SC88 ...
NSTB60BDW1T1G ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+147000 TRANS BRT PNP/NPN 50V GP SC88 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大)...
NSTB60BDW1T1 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT PNP/NPN 50V GP SOT363 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大)...

NSTR4501NT1G参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):200pF @ 10V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别