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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NSTR4501NT1G
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NSTR4501NT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NSTR4501NT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NSTR4501NT1G参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):200pF @ 10V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装

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