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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > NST847BPDP6T5G
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NST847BPDP6T5G

ON Semiconductor SOT-963 0+152000
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简述:TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NST847BPDP6T5G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA / 700mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大:350mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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