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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > NSS12200WT1G
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NSS12200WT1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+45000
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简述:TRANSISTOR PNP 2A 12V SC-88
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NSS12200WT1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):290mV @ 20mA,1A
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 800mA,1.5 V
功率 - 最大:450mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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