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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > NSBC143TPDXV6T5G
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NSBC143TPDXV6T5G

ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NSBC143TPDXV6T5G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NSBC143ZDP6T5G ON Semiconductor SOT-963 0+64000 TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
NSBC143ZDXV6T1 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
NSBC143ZDXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
NSBC143TPDXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
NSBC143TPDXV6T1 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...
NSBC143TDXV6T5G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

NSBC143TPDXV6T5G参数资料

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晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

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